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高通公布新旗舰骁龙835将给移动VR带来做

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来源: 作者: 2019-02-11 17:41:34

伴随着Daydream的到来,移动渐入佳境,正有条不紊的沿着一条正确的道路向前迈进。不过,还有几个难题在严重桎梏着它的发展,比如运算性能、比如功耗控制。而且这些难题显然不是公司能够解决的,这还得需要上游芯片厂商从源头改进。

现在好消息终于来了,乐观点估计,明年的移动VR不仅性能更强,功耗控制的更好,同时“充电5分钟体验2小时”这种此前想都不敢想的事情,或许也能实现。

昨天晚上,高通正式公布了全新旗舰款处理器骁龙835,其将采用三星10nmLPE(low-powerearly,早起低功耗版本)FinFET工艺,相较于14nmFinFET工艺的骁龙820/821,在体积方面将缩小30%以上,功耗降低40%的情况下,性能提升27%。制程工艺从此由14nm迈入崭新的10nm时代,这是一个相当不错的开始。

高通正式宣布新旗舰骁龙835事实上,就智能而言,主流处理器的性能足以满足绝大部分使用需求,甚至可以说过剩,比如说我们自己或者总有些朋友还在使用搭载骁龙805或者810这些型号处理器的产品,但完全是够用的。这跟Intel或者AMD的主流桌面级处理器的状态很相似,运算性能早已不是大问题。

高通公布新旗舰骁龙835将给移动VR带来做

不过,在移动VR兴起之后,对处理器的运算性能提出了更高的要求,也让像高通这样的上游芯片厂商有足够的动力去研发更优秀的产品。更强的运算性能意味着可以运行更复杂的或者应用,更好的功耗控制则预示着更长的续航时间和更好的发热控制。

当然,高通骁龙835带给移动VR的变革还不仅于此,别忘了,还有最新的快速充电技术——QC(QuickCharge)4.0。

按照高通官方的说作为商业机密的一部分法,QC4.0加入了DualCharge技术,相比QC3.0来说,充电速度可提升20%,效率则能提升30%。高通产品管理高级副总裁AlexKatouzian也表示,QC4.0能在大约15分钟或更短时间内,充入高达50%的电池电量。不仅如此,QC4.0还加入了最佳电压智能协商电源管理算法(INOV),能够在既定的散热条件下,自主确定并选择最佳的电力传输水平,从而优化充电。

另一方面,QC4.0能在更准确地测量电压、电流和温度的同时,保护电池、系统、线缆和连接器。防止电池过度充电,并在每个充电周期调节电流。

为了配合QC4.0,高通还推出了最新的电源管理芯片SMB1380和SMB1381。SMB1380和SMB1381具有低阻抗、高达95%的峰值效率和先进的快充特性(例如电池差分感知),可经由任何5VUSBType-C或高压电源通过高度不到0.8毫米的充电解决方案组合,为超薄的移动终端提供最快的电池充电。更好的消息在于,SMB1380/1381电源管理芯片预计在今年年底之前就开始提供。

高通并没有公布更多骁龙835处理器的细节,但却表示,目前这款处理器已经投入生产,预计将会在2017年上半年正式上市。不出意外的话,骁龙835将会成为明年上半年Android旗舰的就会快乐标配。至于哪家厂商能够拔得头筹,或许不久之后的CES以及MWC上就能有点眉目。当然,我们更关注哪家VR一体机厂商会率先推出基于高通骁龙835解决方案的新品。

高通新旗舰骁龙835处理器

对于而言,“充电5分钟,通话2小时”这句耳熟能详的广告词,在明年可能会升级成“充电5分钟,通话5小时”。而对于移动VR来说,充电5分钟体验2小时,也将迈出从“完全不可能”到“很有可能”的重要一步。

最后,简单总结一下,高通全新骁龙835处理器会给移动VR带来的变革。

1、更强的运算性能,更多大型复杂场景的内容将出现在移动VR上面,移动VR和PCVR/主机VR在体验上的差距将被拉近;

2、更好的功耗控制,不管是续航问题,还是发热问题,都能得到更好的解决(对VR一体机而言,没准被动式散热方案会全面取代主动式散热方案);

3、更高效的充电,这意味着不用过分担心因为体验VR而让迅速掉电,从而导致暂时无法使用的尴尬,对于VR一体机来说,将在很大程度上缓解充电等待时间过长的问题;

4、其他方面的惊喜,或许还会有基于VR的更多优化,我们不妨耐心等待高通公布更多的细节。

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